您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

STGWT28IH120DF

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STGWT28IH120DF
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-3P
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： STGWT28IH125DF STGWT30H60DFB STGWT30H65FB STGWT30HP65FB STGWT30V60DF STGWT30V60F STGWT38IH130D STGWT40H60DLFB STGWT40H65DFB

STGWT28IH120DF PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STGWT28IH120DF PDF下载

制造商
STMicroelectronics
功能描述
25 A, 1200 V, TRENCH GATE FIELD STOP IGBT - Bulk
制造商
STMicroelectronics
功能描述
25 A, 1200 V, trench gate field stop IGBT

STGWT28IH120DF 技术参数

STGWT20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 开关能量:200μJ（开），130μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 测试条件:400V，20A，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 STGWT20V60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO3P-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 开关能量:200μJ（开），130μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 测试条件:400V，20A，15V 反向恢复时间（trr）:40ns 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 STGWT20IH125DF 功能描述:IGBT 1250V 40A 259W TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1250V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 开关能量:410μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/106ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 STGWT20H65FB 功能描述:IGBT 650V 40A 168W TO3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:168W 开关能量:77μJ（开），170μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/139ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 STGWT20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 开关能量:209μJ（开），261μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:115nC 25°C 时 Td（开/关）值:42.5ns/177ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:90ns 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 STGWT40H65FB STGWT40HP65FB STGWT40V60DF STGWT40V60DLF STGWT60H60DLFB STGWT60H65DFB STGWT60H65FB STGWT60V60DF STGWT60V60DLF STGWT80H65DFB STGWT80H65FB STGWT80V60DF STGWT80V60F STGY40NC60VD STGY50NC60WD STGY80H65DFB STGYA120M65DF2 STH110N10F7-2