STP211

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STP211A-144-E
深圳市引芯科技发展有限公司
深圳市引芯科技发展有限公司
联系人：销售部经理：林小姐
电话：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田区福华路世贸广场C座1106/香港办事处:香港大理石
566
Seiko Instruments
标准封装
25+
-
真实的资源竭诚服务您！

STP21108DT-T1-63
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

STP211B192
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
联系人：李小姐/肖先生
电话：0755-8257149682571956
地址：赛格广场69楼6900
资质：营业执照
13985
SEI
原厂封装
21+
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STP211 技术参数

STP210N75F6 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:171nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP20NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1280pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP20NM60FP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP20NM60FD 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP20NM60A 功能描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 STP23N80K5 STP23NM50N STP23NM60N STP23NM60ND STP240N10F7 STP24DP05BTR STP24N60DM2 STP24N60M2 STP24N65M2 STP24NF10 STP24NM60N STP24NM65N STP25N10F7 STP25N60M2-EP STP25N80K5 STP25NM50N STP25NM60N STP25NM60ND