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STT8205

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  • STT8205
    STT8205

    STT8205

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • SeCoS

  • TSOP-6

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  • STT8205S-VB
    STT8205S-VB

    STT8205S-VB

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

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  • VBSEMI

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  • STT8205S-VB
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 385882

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  • STT8205S
    STT8205S

    STT8205S

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • TY/台灣半導体

  • SOT23-6

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  • STT8205S
    STT8205S

    STT8205S

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 45800

  • SeCoS

  • SOT23-6

  • 24+

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  • 原装,公司部分现货,有单来谈QQ:161...

  • STT8205S-VB
    STT8205S-VB

    STT8205S-VB

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 385882

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  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • STT8205S
    STT8205S

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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  • SeCoS

  • TSOP6

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STT8205 技术参数
  • STT818B 功能描述:TRANS PNP 30V 3A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 20mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:1.2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT7P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22.5 毫欧 @ 3.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2390pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT6N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):283pF @ 24V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT5N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA(最小) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):367pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT4PF20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.7V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):500pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STTA2006PI STTA2006PIRG STTA212S STTA2512P STTA3006CW STTA3006P STTA3006PIRG STTA306B-TR STTA312B STTA406 STTA406RL STTA506B STTA506B-TR STTA506D STTA512B STTA512F STTA512FP STTA6006TV1
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