STWA48N60DM2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STWA48N60DM2
现货
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
27
ST
TO247-3
1848+
-
全新原装现货

STWA48N60DM2
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
23055
ST
22+
-
原装原厂现货

STWA48N60DM2
现货
上海航霆电子技术有限公司
上海航霆电子技术有限公司
联系人：林生18701789587
电话：0755-8374259418701789587
地址：上海徐汇区漕溪路222号航天大厦16层
6000
ST
SOP
20+
-
全新原厂原装正品，只做原装，可开增票

STWA48N60DM2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
8400
ST
TO-247 LONG LEADS
21+
-
原装正品现货可开增值税发票

STWA48N60DM2
东莞鼎岑科技有限公司
东莞鼎岑科技有限公司
联系人：莫
电话：18925581989
地址：广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室
8400
ST
18+
-

1/1页 40条/页共2条
1

您是不是要找： STWA48N60M2 STWA57N65M5 STWA70N60DM2 STWA88N65M5 STWBC STWBC-EPTR STWBC-MC STWBC-MCTR STWBCTR

STWA48N60DM2 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STWA48N60DM2 技术参数

STWA45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3470pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STWA40N95K5 功能描述:N-CHANNEL 950 V, 0.110 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:93nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3300pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STWA40N95DK5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DK5 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3480pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:450W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 长引线封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 STWA40N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3260pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:99 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 长引线封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 STWA20N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STWBC-WA STWBC-WATR STWD100NPWY3F STWD100NWWY3F STWD100NYWY3F STWD100PYW83F STWD100YNPWY3F STWD100YNWWY3F STWD100YNYWY3F STWH13009 STWLC03JR STWLC04JR STWLC33JR STX0560 STX112 STX112-AP STX117-AP STX13003