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2N3789中文资料

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  • POWER TRANSISTORS(10A,150W)
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  • Silicon PNP Power Transistors
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    Boca Semiconductor Corporation
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  • PNP POWER TRANSISTORS JEDEC TO-3 CASE
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    Central Semiconductor Corp
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  • EPITAXIAL-BASE NPN - PNP
  • COMSET
    Comset Semiconductor
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  • Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3
  • SEME-LAB
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  • Silicon PNP Power Transistors
  • NJSEMI
    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
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  • EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS
  • COMSET
    Comset Semiconductor
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  • EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS
  • COMSET
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  • Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed
  • SEME-LAB
    Seme LAB
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2N3789参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
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  • 功能描述：两极晶体管 - BJT PNP GP Power；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；配置：；晶体管极性：PNP；集电极—基极电压 VCBO：；集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V；发射极 - 基极电压 VEBO：- 6 V；集电极—射极饱和电压：；最大直流电集电极电流：；增益带宽产品fT：；直流集电极/Base Gain hfe Min：100 A；最大工作温度：；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：PowerFLAT 2 x 2；

2N3789供应商

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