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GB25RF120K中文资料

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GB25RF120K参数资料

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  • GB25RF120K
  • 功能描述：IGBT 模块 40 Amp 1200 Volt Non-Punch Through；RoHS：否；制造商：Infineon Technologies；产品：IGBT Silicon Modules；配置：Dual；集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V；集电极—射极饱和电压：1.95 V；在25 C的连续集电极电流：230 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：445 W；最大工作温度：+ 125 C；封装 / 箱体：34MM；封装：；

GB25RF120K供应商

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  • GB25RF120K
  • 深圳市中平科技有限公司
  • 赖先生
    0755-83946385
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  • 深圳市恒胜泰科技有限公司
  • 林先生/林小姐
    0755-82521107
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  • 新年份
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  • GB25RF120K
  • 深圳市恒佳微电子有限公司
  • 何艳18923719180
    0755-82710336
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  • GB25RF120K
  • 壹诺半导体（深圳）有限公司
  • 吴先生
    0755-82709309
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  • 168
  • GB25RF120K
  • 苏州新电元半导体有限公司
  • 李丽
    0512-50325666
  • IR
  • 标准封装
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  • GB25RF120K
  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司
  • 朱小姐
    0755-83210909
  • IR
  • 25A1200V
  • 11+
  • 900
  • GB25RF120K
  • 深圳市丰达志电子有限公司
  • 连先生
    0755-88603180
  • IR
  • MODULE
  • 05+
  • 3
  • GB25RF120K
  • 深圳市汇驰丰科技有限公司
  • hcf01
    086-0755-83267930
  • IR
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  • 10+
  • 30