IDT70V631S10BF

IDT70V631S10BF中文资料

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• IDT70V631S10BF
• HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
• IDT
  Integrated Device Technology
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• 23 Pages
• 306.74 Kbytes
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• HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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IDT70V631S10BF参数资料

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• IDT70V631S10BF
• 功能描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：3,000；系列：-；格式 - 存储器：EEPROMs - 串行；存储器类型：EEPROM；存储容量：8K (1K x 8)；速度：400kHz；接口：I²C，2 线串口；电源电压：1.7 V ~ 5.5 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；供应商设备封装：8-SOIC；包装：带卷 (TR)；

IDT70V631S10BF供应商

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• IDT70V631S10BF
• 北京元坤伟业科技有限公司
• 刘先生
  010-62104931
• IDT
• 原厂封装
• 07+
• 3000

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• IDT70V631S10BF
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 谭玉丽
  19129491949(手机优先
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 208-LFBGA
• 12+
• 10001

• IDT70V631S10BF
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部：马先生
  0755-83350789
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 208-LFBGA
• 15+
• 180018

• IDT70V631S10BF8
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