IDT70V639S12BF

IDT70V639S12BF中文资料

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• IDT70V639S12BF
• HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
• IDT
  Integrated Device Technology
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• HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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IDT70V639S12BF参数资料

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• IDT70V639S12BF
• 功能描述：IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：3,000；系列：-；格式 - 存储器：EEPROMs - 串行；存储器类型：EEPROM；存储容量：8K (1K x 8)；速度：400kHz；接口：I²C，2 线串口；电源电压：1.7 V ~ 5.5 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；供应商设备封装：8-SOIC；包装：带卷 (TR)；

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• 北京元坤伟业科技有限公司
• 刘先生
  010-62104931
• IDT
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• IDT70V639S12BF
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 谭玉丽
  19129491949(手机优先
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部：马先生
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