IDT70V659S10DR

IDT70V659S10DR中文资料

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• IDT70V659S10DR
• HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
• IDT
  Integrated Device Technology
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• 23 Pages
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• IDT70V659S10DR
• HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
• IDT
  Integrated Device Technology
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• IDT70V659S10DRI
• HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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• HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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IDT70V659S10DR参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IDT70V659S10DR
• 功能描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 208QFP；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：3,000；系列：-；格式 - 存储器：EEPROMs - 串行；存储器类型：EEPROM；存储容量：8K (1K x 8)；速度：400kHz；接口：I²C，2 线串口；电源电压：1.7 V ~ 5.5 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；供应商设备封装：8-SOIC；包装：带卷 (TR)；

IDT70V659S10DR供应商

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• IDT70V659S10DR
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 谭玉丽
  19129491949(手机优先
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 208-BFQFP
• 12+
• 10001

• IDT70V659S10DR
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部：马先生
  0755-83350789
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 208-BFQFP
• 15+
• 180018

• IDT70V659S10DR
• 深圳市一线半导体有限公司
• 谢S/曾S/钟S陈S/张S/刘S
  0755-88608801
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 208-BFQFP
• 12+
• 65860

• IDT70V659S10DR
• 深圳市深国星实业有限公司
• 洪小姐
  13530896868
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• 8752

• IDT70V659S10DR
• 深圳市世联芯科技有限公司
• 蔡小姐
  18824247340
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 208-BFQFP
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• 10001

• IDT70V659S10DR
• 深圳市深创辉科技有限公司
• 徐小姐
  0755-83203120-822
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 208-BFQFP
• 13+
• 10001

• IDT70V659S10DR
• 深圳市洪芯洪科技有限公司
• 曹小姐
  0755-22212047
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 208-BFQFP
• 13+
• 6500

• IDT70V659S10DR
• 深圳市鑫华芯实业有限公司
• 陈小姐
  0755-82727788
• IDT
• QFP208
• 10+
• 500

• IDT70V659S10DR
• 深圳市灿顺兴科技有限公司
• 周先生
  0755-23816835
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• N/A
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• 750

• IDT70V659S10DR
• 深圳市迦南电子有限公司
• 周先生
  0755-83958050
• IDT
• 208-PQFP (28x28)
• 14+
• 779