IDT71V3557S80BG

IDT71V3557S80BG中文资料

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• IDT71V3557S80BG
• 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
• IDT
  Integrated Device Technology
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• 28 Pages
• 996.97 Kbytes
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• IDT71V3557S80BGI
• 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
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IDT71V3557S80BG参数资料

• 电子元器件
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• IDT71V3557S80BG
• 功能描述：IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：2,000；系列：MoBL®；格式 - 存储器：RAM；存储器类型：SRAM - 异步；存储容量：16M（2M x 8，1M x 16）；速度：45ns；接口：并联；电源电压：2.2 V ~ 3.6 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：48-VFBGA；供应商设备封装：48-VFBGA（6x8）；包装：带卷 (TR)；

IDT71V3557S80BG供应商

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• IDT71V3557S80BG
• 北京元坤伟业科技有限公司
• 刘先生
  010-62104931
• IDT
• 119 BGA
• 09/10+
• 4000

• IDT71V3557S80BG
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• IDT71V3557S80BG
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 谭玉丽
  19129491949(手机优先
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 119-BGA
• 12+
• 10001

• IDT71V3557S80BG
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部：马先生
  0755-83350789
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 119-BGA
• 15+
• 180018

• IDT71V3557S80BG8
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