IDT71V35761YSA166BQ

IDT71V35761YSA166BQ中文资料

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• IDT71V35761YSA166BQ
• 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
• IDT
  Integrated Device Technology
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• IDT71V35761YSA166BQI
• 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
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IDT71V35761YSA166BQ参数资料

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• IDT71V35761YSA166BQ
• 功能描述：IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：576；系列：-；格式 - 存储器：闪存；存储器类型：闪存 - NAND；存储容量：512M（64M x 8）；速度：-；接口：并联；电源电压：2.7 V ~ 3.6 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；供应商设备封装：48-TSOP；包装：托盘；其它名称：497-5040；

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• 销售部：马先生
  0755-83350789
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