IGA30N60H3

IGA30N60H3中文资料

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• IGA30N60H3
• High speed switching series third generation
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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IGA30N60H3参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IGA30N60H3
• 功能描述：IGBT 晶体管 HI SPEED SWITCHING 600V 30A；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

IGA30N60H3供应商

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• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies
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• 北京京北通宇电子元件有限公司
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  0755-88853678
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• 梁琳琳
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• 12000

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  18922857317洪小姐
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• 深圳港嘉电子有限公司
• 周熳
  0755-82892686
• InfineonTechnologies
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• 罗
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• TO-220-3 整包
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• 深圳市海瑞安科技有限公司
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• 28000