IKP10N60T

IKP10N60T中文资料

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• IKP10N60T
• Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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• IKP10N60T
• TrenchStop Series
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  Infineon Technologies AG
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IKP10N60T参数资料

• 电子元器件
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• IKP10N60T
• 功能描述：IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

IKP10N60T供应商

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• 北京京北通宇电子元件有限公司
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• 深圳市时兴宇电子有限公司
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• IKP10N60T
• 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
• 陈小姐
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• INFINEON
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