IPA60R600C6
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IPA60R600C6中文资料
电子元器件
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IPA60R600C6
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
INFINEON
Infineon Technologies AG
18 Pages
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IPA60R600C6参数资料
电子元器件
参数资料
IPA60R600C6
功能描述:MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor ;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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