IPB06N03LA

IPB06N03LA中文资料

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• IPB06N03LA
• OptiMOS 2 Power-Transistor
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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• IPB06N03LAG
• OptiMOS??2 Power-Transistor
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IPB06N03LA参数资料

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• IPB06N03LA
• 功能描述：MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：OptiMOS™；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

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• 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
• 李先生
  13760200702
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies
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• 25000

• IPB06N03LA
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
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• 2500

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• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
• INFINEON
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• IPB06N03LA
• 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
• 陈小姐
  13428937514
• INFINEON
• TO-263
• 05+
• 5000