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IPB09N03LAG中文资料

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  • IPB09N03LAG
  • OptiMOS??2 Power-Transistor
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    Infineon Technologies AG
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  • IPB09N03LAG
  • OptiMOS 2Power-Transistor
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IPB09N03LAG参数资料

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  • IPB09N03LAG
  • 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

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  • 深圳市科海特电子商行
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  • 13518
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司
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    0755-83777708
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