IPD60R950C6

IPD60R950C6中文资料

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• IPD60R950C6
• Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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IPD60R950C6参数资料

• 电子元器件
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• IPD60R950C6
• 功能描述：MOSFET N-CH 650V 4.4A ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPD60R950C6供应商

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  18724450645
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• 北京京华特科技有限公司
• 张小姐/韩先生
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• Infineon technologies
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• 2500

• IPD60R950C6
• 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
• 陈小姐
  13428937514
• Infineon technologies
• DPAK (TO-252)-3
• 2014+
• 1950

• IPD60R950C6
• 深圳市远晨电子有限公司
• 周小姐/詹小姐
  0755-83972258
• Infineon technologies
• 11+
• 20000