IPP60R750E6
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IPP60R750E6中文资料
电子元器件
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IPP60R750E6
600V CoolMOS E6 Power Transistor
INFINEON
Infineon Technologies AG
17 Pages
2049.39 Kbytes
IPP60R750E6参数资料
电子元器件
参数资料
IPP60R750E6
功能描述:MOSFET N-CH 650V 5.7A ;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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