IPSH5N03LAG
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IPSH5N03LAG中文资料
电子元器件
功能描述
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IPSH5N03LAG
OptiMOS??2 Power-Transistor
INFINEON
Infineon Technologies AG
10 Pages
325.29 Kbytes
IPSH5N03LAG参数资料
电子元器件
参数资料
IPSH5N03LAG
功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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深圳市科海特电子商行
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0755-82539698
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TO-251
2013
20000
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深圳市迈的特电子有限公司
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13537709675
原厂
N/A
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0755-82723922
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D-PAK5-L
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黄小姐
0086-755-83253228
INFINEON
原厂原包
19960
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深圳雅创电子(香港)有限公司
林先生/郑小姐
0755-83201422
INFINEON
D-PAK5-LEAD
13+
8600
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深圳市福田区鼎盛鑫微电子商行
罗
0755-83994130..15986819727
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14+
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