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IRF6706S2TR1PBF中文资料

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IRF6706S2TR1PBF参数资料

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  • IRF6706S2TR1PBF
  • 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms 13nC;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IRF6706S2TR1PBF供应商

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