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IRF7855PBF中文资料

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  • IRF7855PBF
  • HEXFETPower MOSFET
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    International Rectifier
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IRF7855PBF参数资料

  • 电子元器件
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  • IRF7855PBF
  • 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IRF7855PBF供应商

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  • 深圳市思诺康科技有限公司
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    0755-83286481
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  • 张先生
    0755-23903058
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  • IRF7855PBF
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    83617149
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  • 李林
    0755-82519391
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  • 原封装
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  • IRF7855PBF
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
  • 王小姐
    13969210552
  • Internation.Rectifer
  • 标准封装
  • 15+
  • 20000
  • IRF7855PBF
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
  • 王小姐
    13969210552
  • IR
  • 标封
  • 14+
  • 5000
  • IRF7855PBF
  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
  • 林小姐/欧阳先生
    0755-83245050
  • N/A
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  • 2015+
  • 5000
  • IRF7855PBF
  • 北京天阳诚业科贸有限公司
  • 洪先生
    17862669251
  • International Rectifier
  • N/A
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  • IRF7855PBF
  • 北京京北通宇电子元件有限公司

  • 18724450645
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  • 25000
  • IRF7855PBF
  • 北京京北通宇电子元件有限公司

  • 18724450645
  • TE Connectivity
  • 原厂标准封装
  • 2014
  • 3000