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IRF9630中文资料

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  • IRF9630
  • P-CHANNEL POWER MOSFETS
  • SAMSUNG
    Samsung semiconductor
  • SAMSUNG
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  • IRF9630
  • 6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
  • INTERSIL
    Intersil Corporation
  • INTERSIL
  • 7 Pages
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  • IRF9630
  • Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 6 Pages
  • 175.10 Kbytes
  • IRF9630
  • Power MOSFET
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 8 Pages
  • 547.24 Kbytes
  • IRF9630
  • Power MOSFET
  • KERSEMI
    Kersemi Electronic Co., Ltd.
  • KERSEMI
  • 7 Pages
  • 2946.30 Kbytes
  • IRF9630PBF
  • Power MOSFET
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 8 Pages
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  • IRF9630PBF
  • Power MOSFET
  • KERSEMI
    Kersemi Electronic Co., Ltd.
  • KERSEMI
  • 7 Pages
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  • IRF9630S
  • Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
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    International Rectifier
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  • 6 Pages
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IRF9630参数资料

  • 电子元器件
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  • IRF9630
  • 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IRF9630供应商

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