IRFBC30ASTRRPBF

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• IRFBC30ASTRRPBF
• Power MOSFET
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  Vishay Siliconix
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IRFBC30ASTRRPBF参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRFBC30ASTRRPBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFBC30ASTRRPBF供应商

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  0755-83350789
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• 深圳市华首信实业有限公司
• 阳小姐/曾先生/
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• 最新年份
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• 深圳市福宏特电子科技有限公司
• 肖先生
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