IRFBC40ASPBF
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IRFBC40ASPBF中文资料
电子元器件
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IRFBC40ASPBF
HEXFET Power MOSFET
IRF
International Rectifier
9 Pages
594.06 Kbytes
IRFBC40ASPBF
Power MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
8 Pages
342.98 Kbytes
IRFBC40ASPBF参数资料
电子元器件
参数资料
IRFBC40ASPBF
功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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IR
D2-pak
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深圳市华斯顿电子科技有限公司
朱咸华
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原厂原包装
2015+
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