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IRFBE30中文资料

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  • Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
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  • KERSEMI
    Kersemi Electronic Co., Ltd.
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  • 3845.93 Kbytes
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  • HEXFET?? Power MOSFET
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IRFBE30参数资料

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  • IRFBE30
  • 功能描述:MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IRFBE30供应商

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  • IRFBE30
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
    0755-83350789
  • IR
  • TO-220
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  • IRFBE30
  • 深圳市英科美电子有限公司
  • 张先生
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  • IRFBE30
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
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  • IRFBE30
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  • IRFBE30
  • 北京杰创宏达电子有限公司
  • 沈小姐/伊小姐/张先生
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  • 原厂原装
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  • IRFBE30
  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
  • 林小姐/欧阳先生
    0755-83245050
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  • TO-220
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  • 4800
  • IRFBE30
  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
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  • TO-220
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  • IRFBE30
  • 深圳市中平科技有限公司
  • 赖先生
    0755-83946385
  • IR,
  • TO-220
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  • IRFBE30
  • 中山市翔美达电子科技有限公司
  • 朱小姐
    15502070655
  • IR
  • TO-220
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