IRFD020

IRFD020中文资料

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• IRFD020
• HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP
• IRF
  International Rectifier
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• 6 Pages
• 238.94 Kbytes

• IRFD020
• Power MOSFET
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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• 8 Pages
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• IRFD020PBF
• Power MOSFET
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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IRFD020参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRFD020
• 功能描述：MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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