IRG4BC10SPBF

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• IRG4BC10SPBF
• Insulated Gate Bipolar Transistor
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IRG4BC10SPBF参数资料

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• IRG4BC10SPBF
• 功能描述：IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

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