IRG4BC20KD

IRG4BC20KD中文资料

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• IRG4BC20KD
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
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• IRG4BC20KDPBF
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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• IRG4BC20KDS
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
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• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
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• IRG4BC20KD-SPBF
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE
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IRG4BC20KD参数资料

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• IRG4BC20KD
• 功能描述：IGBT UFAST 600V 16A TO-220AB；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> IGBT - 单路；系列：-；标准包装：30；系列：GenX3™；IGBT 类型：PT；电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V；Vge, Ic时的最大Vce（开）：3V @ 15V，100A；电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200A；功率 - 最大：830W；输入类型：标准；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-247-3；供应商设备封装：PLUS247?-3；包装：管件；

IRG4BC20KD供应商

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• IRG4BC20KD
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• IR
• TO-220
• 05+
• 50000

• IRG4BC20KD
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
  19129491934(手机优先微信同号)
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• IRG4BC20KD
• 深圳市亚泰盈科电子有限公司
• 郑小姐
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