IRG4BC20S
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IRG4BC20S中文资料
电子元器件
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IRG4BC20S
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)
IRF
International Rectifier
8 Pages
157.98 Kbytes
IRG4BC20S
Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRF
International Rectifier
35 Pages
98.39 Kbytes
IRG4BC20SD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)
IRF
International Rectifier
10 Pages
287.80 Kbytes
IRG4BC20SDS
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)
IRF
International Rectifier
10 Pages
382.72 Kbytes
IRG4BC20SD-S
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)
IRF
International Rectifier
10 Pages
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IRG4BC20SD-SPBF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD
IRF
International Rectifier
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IRG4BC20SPBF
Insulated Gate Bipolar Transistor
IRF
International Rectifier
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195.96 Kbytes
IRG4BC20S参数资料
电子元器件
参数资料
IRG4BC20S
功能描述:IGBT STD 600V 19A TO-220AB;RoHS:否;类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路;系列:-;标准包装:30;系列:GenX3™;IGBT 类型:PT;电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V;Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A;电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A;功率 - 最大:830W;输入类型:标准;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商设备封装:PLUS247?-3;包装:管件;
IRG4BC20S供应商
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IRG4BC20S
深圳市晶美隆科技有限公司
李林
0755-82519391
IR
TO-220
14+
9531
IRG4BC20S
中山市翔美达电子科技有限公司
朱小姐
15502070655
IR
TO-220
10+
6000
IRG4BC20S
深圳市中平科技有限公司
赖先生
0755-83946385
IR
TO-220
15+
19875
IRG4BC20S
深圳市德力诚信科技有限公司
王小姐
13969210552
International Rectifier
标封
14+
5000
IRG4BC20S
深圳市柏新电子科技有限公司
林小姐//方先生
0755-88377780
IR
TO-220
2012+
58
IRG4BC20S
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
0755-83350789
Infineon Technologies Americas Corp.
TO-220AB
15+
25000
IRG4BC20S
深圳市毅创辉电子科技有限公司
何芝
19129491934(手机优先微信同号)
IR
TO-220
13+
4810
IRG4BC20S
深圳市亚泰盈科电子有限公司
郑小姐
15338868823
IR
TO-247
1490605
IRG4BC20S
甄芯网
柯先生/赵小姐
0755-83665813
IR
TO-220
2010
3587
IRG4BC20S
北京京华特科技有限公司
张小姐/韩先生
010-86398446-806
IR
SOP
340
123
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