IRG4BC30W

IRG4BC30W中文资料

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• IRG4BC30W
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)
• IRF
  International Rectifier
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• IRG4BC30W_04
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)
• IRF
  International Rectifier
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• IRG4BC30WPBF
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)
• IRF
  International Rectifier
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• 8 Pages
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• IRG4BC30WS
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)
• IRF
  International Rectifier
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• IRG4BC30W-S
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)
• IRF
  International Rectifier
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• 8 Pages
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• IRG4BC30W-SPBF
• Insulated Gate Bipolar Transistor
• IRF
  International Rectifier
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IRG4BC30W参数资料

• 电子元器件
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• IRG4BC30W
• 功能描述：IGBT WARP 600V 23A TO-220AB；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> IGBT - 单路；系列：-；标准包装：30；系列：GenX3™；IGBT 类型：PT；电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V；Vge, Ic时的最大Vce（开）：3V @ 15V，100A；电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200A；功率 - 最大：830W；输入类型：标准；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-247-3；供应商设备封装：PLUS247?-3；包装：管件；

IRG4BC30W供应商

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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
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• 2500

• IRG4BC30W
• 深圳市晶美隆科技有限公司
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  0755-82519391
• IR
• TO-220
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• 深圳市思诺康科技有限公司
• 张小姐/Vivianvi
  0755-83286481
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• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
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• IR
• TO-220
• 15+
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• IRG4BC30W
• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
  13969210552
• International Rectifier
• 标封
• 14+
• 5000

• IRG4BC30W
• 中山市翔美达电子科技有限公司
• 朱小姐
  15502070655
• IR
• TO-220
• 10+
• 6000

• IRG4BC30W
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
• IR
• TO-220
• 2012+
• 2170

• IRG4BC30W
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
• TO-220AB
• 15+
• 25000

• IRG4BC30W
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• IR
• TO-220
• 0+
• 19800

• IRG4BC30W
• 深圳市亚泰盈科电子有限公司
• 郑小姐
  15338868823
• IR
• TO-247
• 1493581