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IRLML6302GTRPBF中文资料

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  • IRLML6302GTRPBF
  • HEXFET Power MOSFET
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    TY Semiconductor Co., Ltd
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IRLML6302GTRPBF参数资料

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  • IRLML6302GTRPBF
  • 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IRLML6302GTRPBF供应商

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