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IRLR4343PBF中文资料

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IRLR4343PBF参数资料

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  • IRLR4343PBF
  • 功能描述：MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 50mOhms 28nC；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRLR4343PBF供应商

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  • IRLR4343PBF
  • 北京天阳诚业科贸有限公司
  • 洪先生
    17862669251
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  • IRLR4343PBF
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
  • 王小姐
    13969210552
  • International Rectifier
  • 标封
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  • 5000
  • IRLR4343PBF
  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
    0755-83041559
  • TO252
  • 11+
  • 8800
  • IRLR4343PBF
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • Infineon Technologies Americas Corp.
  • D-Pak
  • 15+
  • 25000
  • IRLR4343PBF
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
  • 陈小姐
    13428937514
  • INTERNATIONAL RECTIFIER
  • 111
  • IRLR4343PBF

  • IR
  • TO-252
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  • 112380
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  • 深圳市胜彬电子有限公司
  • 刘小姐
    15112525775
  • IR
  • D-pak
  • 1413+
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  • IRLR4343PBF
  • 深圳市胜彬电子有限公司
  • 段群
    18902465585
  • IR
  • D-pak
  • 1413+
  • 7680
  • IRLR4343PBF
  • 深圳市奥捷尔电子科技有限公司
  • 杨小姐
    13620995027
  • IOR
  • 12+
  • 10000
  • IRLR4343PBF
  • 深圳市铭万电子有限公司
  • 李洁/廖R
    18919554221
  • IR
  • TO-252
  • 2013
  • 20000