ISL9N2357D3ST

ISL9N2357D3ST中文资料

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• ISL9N2357D3ST
• 30V, 0.007 Ohm, 35A, N-Channel UltraFET Trench Power MOSFET
• FAIRCHILD
  Fairchild Semiconductor
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ISL9N2357D3ST参数资料

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• 参数资料

• ISL9N2357D3ST
• 功能描述：MOSFET 30V 35a NCh MOSFET 0.007 Ohm ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 王
  18724450645
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• ISL9N2357D3ST
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• 2500

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• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
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• 13000

• ISL9N2357D3STS2490
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• 深圳市华斯顿电子科技有限公司
• 朱咸华
  0755-83777708
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• 29211

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