NE960R275

NE960R275中文资料

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• NE960R275
• 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
• NEC
  NEC
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• NE960R275
• 0.2W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET
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• NE960R275_01
• 0.2W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET
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NE960R275参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NE960R275
• 功能描述：射频GaAs晶体管 X KU Band MESFET；RoHS：否；制造商：TriQuint Semiconductor；技术类型：pHEMT；频率：500 MHz to 3 GHz；增益：10 dB；噪声系数：；正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4 S；漏源电压 VDS：；闸/源击穿电压：- 8 V；漏极连续电流：3 A；最大工作温度：+ 150 C；功率耗散：10 W；安装风格：；封装 / 箱体：；

NE960R275供应商

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• NE960R275
• 深圳市华诺星科技有限公司
• 廖小姐
  18998919871
• California Eastern Laboratories
• 2014+
• 9999999

• NE960R275
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• 
  
• NEC
• 2015+
• 10300

• NE960R275
• 深圳市冠亚达电子有限公司
• 彭先生/孙先生
  0755-83980810
• Renesas Electronics Corporation
• 58

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• 深圳瀚瑞祥科技有限公司
• 赵小姐
  0755-83215407
• NEC
• N/A
• 14+/15+
• 5658

• NE960R275
• 深圳市华夏芯科技有限公司
• 赵小姐
  0755-83236192
• NEC
• 188

• NE960R275
• 上海市鑫鸿达电子技术有限公司
• 陈小姐 付先生
  021-51872153
• NEC
• 新
• 33

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• 深圳市中品正光科技有限公司
• 王先生
  0755-84163050
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