NESG2021M05

NESG2021M05中文资料

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• NESG2021M05
• NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
• CEL
  California Eastern Labs
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• NESG2021M05
• NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
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• NESG2021M05-A
• NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
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• NESG2021M05-T1
• NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
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• NESG2021M05-T1-A
• NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
• CEL
  California Eastern Labs
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• NESG2021M05-T1-A
• NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
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NESG2021M05参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NESG2021M05
• 功能描述：射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2021M05-A；RoHS：否；制造商：Infineon Technologies；发射极 - 基极电压 VEBO：；集电极连续电流：；功率耗散：；安装风格：；封装 / 箱体：；封装：Reel；

NESG2021M05供应商

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• 供应商
• 联系方式
• 品牌
• 封装
• 批号
• 数量

• NESG2021M05
• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
• NEC
• SOT-343
• 11+
• 25400

• NESG2021M05
• 深圳市瑞祺芯科技有限公司
• 李小姐/孟先生 （只 做 原 装 ）
  086-0755-28892389
• NEC
• SOT-343
• 10+
• 200

• NESG2021M05-A
• 中山市翔美达电子科技有限公司
• 朱小姐
  15502070655
• MA-COM
• QFP
• 12+
• 6000

• NESG2021M05-A
• 深圳市高创鑫电子科技有限公司
• 曾小姐
  0755-23302980
• NEC
• a/n
• 15+
• 36000

• NESG2021M05-T1
• 深圳市时兴宇电子有限公司
• 彭先生
  0755-83041559
• NEC
• SOT343
• 08+
• 9766

• NESG2021M05-T1
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• NEC
• SOT343
• 1213+
• 3400

• NESG2021M05-T1
• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
• nec
• sot-343
• 06+NOPB
• 42000

• NESG2021M05-T1
• 深圳市远晨电子有限公司
• 周小姐/詹小姐
  0755-83972258
• NEC
• SOT23
• 02+
• 3000

• NESG2021M05-T1-A
• 深圳市时兴宇电子有限公司
• 彭先生
  0755-83041559
• NEC
• SOT343
• 08+
• 6895

• NESG2021M05-T1-A
• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
• NEC
• SOT343
• 08+PBF
• 51000