NESG2031M16

NESG2031M16中文资料

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• NESG2031M16
• High Frequency Transistor
• CEL
  California Eastern Labs
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• NESG2031M16
• NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
• NEC
  NEC
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• 12 Pages
• 119.15 Kbytes
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• NESG2031M16-A
• NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
• NEC
  NEC
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• 12 Pages
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• NESG2031M16-T3
• NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
• NEC
  NEC
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• 12 Pages
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• NESG2031M16-T3-A
• High Frequency Transistor
• CEL
  California Eastern Labs
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• 3 Pages
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• NESG2031M16-T3-A
• NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
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  NEC
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NESG2031M16参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NESG2031M16
• 功能描述：射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2031M16-A；RoHS：否；制造商：Infineon Technologies；发射极 - 基极电压 VEBO：；集电极连续电流：；功率耗散：；安装风格：；封装 / 箱体：；封装：Reel；

NESG2031M16供应商

• 电子元器件
• 供应商
• 联系方式
• 品牌
• 封装
• 批号
• 数量

• NESG2031M16
• 中山市翔美达电子科技有限公司
• 朱小姐
  15502070655
• National(国半)
• 6-PINM
• 11+
• 6000

• NESG2031M16
• 中山市横栏镇伟一电子产品销售中心
• 陈小姐 皮先生
  15019239397
• MURATA
• 6-PINM
• 04+ROHS
• 10000

• NESG2031M16
• 深圳市桂鹏科技有限公司
• 田小姐/高先生/李小姐
  0755-82810298
• NEC
• 6-PINM
• 15+
• 82810298

• NESG2031M16
• 深圳市永贝尔科技有限公司
• 徐玛莉
  0755-82566736
• CEL
• 原厂原包
• 15
• 5855

• NESG2031M16
• 深圳市中联芯电子有限公司
• 张生（可开票）
  13714879722
• NEC
• 6-PINM
• 15+
• 16200

• NESG2031M16
• 深圳市一线半导体有限公司
• 谢S,柯S,陈S、林S、曾S
  0755-88608801
• NEC
• 6-PINM
• 12+
• 46650

• NESG2031M16
• 深圳市恒驰远创科技有限公司
• 朱先生/廖小姐
  0755-22914180
• NEC
• 原厂原装
• 1415+
• 10000

• NESG2031M16
• 深圳市瑞祺芯科技有限公司
• 李小姐/（只做原装 可开17%增值税）
  0755-28892389
• NEC
• 6-PINM
• 14+
• 12000

• NESG2031M16
• 深圳市汇智芯源电子有限公司
• 吴小姐 朱先生 和先生
  0755-82267985销售专线
• NEC
• 原厂封装
• 2015+
• 15000

• NESG2031M16
• 深圳市科奇电子科技有限公司
• 杨生
  0755-82539180
• NEC
• 6-PINM
• 10+
• 1365