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NTB125N02RT4G中文资料
电子元器件
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NTB125N02RT4G
Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK
ONSEMI
ON Semiconductor
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PDF文件
NTB125N02RT4G参数资料
电子元器件
参数资料
NTB125N02RT4G
功能描述:MOSFET 24V 125A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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销售经理:马先生
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其他电子元器件
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深圳市瑞祺芯科技有限公司
李小姐/孟先生 (只 做 原 装 )
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ON
D2PAK(263)
14+
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深圳市华斯顿电子科技有限公司
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