NTD5865NT4G
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NTD5865NT4G中文资料
电子元器件
功能描述
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NTD5865NT4G
N-Channel Power MOSFET 60 V, 38 A, 18 m
ONSEMI
ON Semiconductor
7 Pages
113.99 Kbytes
PDF文件
NTD5865NT4G参数资料
电子元器件
参数资料
NTD5865NT4G
功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 38A;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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