NTHD4102PT1G

NTHD4102PT1G中文资料

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• NTHD4102PT1G
• Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET
• ONSEMI
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NTHD4102PT1G参数资料

• 电子元器件
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• NTHD4102PT1G
• 功能描述：MOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTHD4102PT1G供应商

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• 深圳市晶美隆科技有限公司
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• 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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• 深圳市荣泽信电子科技有限公司
• 荣泽信－晏S
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• NTHD4102PT1G
• 北京京华特科技有限公司
• 张小姐/韩先生
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• NTHD4102PT1G
• 深圳市远晨电子有限公司
• 周小姐/詹小姐
  0755-83972258
• ON Semiconductor
• ChipFET/-55~150
• 11+
• 20000