NTHD4N02FT1
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NTHD4N02FT1中文资料
电子元器件
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NTHD4N02FT1
Power MOSFET and Schottky Diode
ONSEMI
ON Semiconductor
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NTHD4N02FT1G
Power MOSFET and Schottky Diode
ONSEMI
ON Semiconductor
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NTHD4N02FT1参数资料
电子元器件
参数资料
NTHD4N02FT1
功能描述:MOSFET 20V 3.9A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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深圳市晶美隆科技有限公司
李林
0755-82519391
ON
SOT23-..
14+
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朱小姐
83617149
ON Semiconductor
2014+
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NTHD4N02FT1
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2014+
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荣泽信-晏S
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销售部经理:马先生
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
雷春艳
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
何芝
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201311+
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柯先生/赵小姐
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