NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G中文资料

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• NTJD1155LT1G
• Power MOSFET High Side Load Switch with Levela??Shift, Pa??Channel SCa??88
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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NTJD1155LT1G参数资料

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• 参数资料

• NTJD1155LT1G
• 功能描述：MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTJD1155LT1G供应商

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• 深圳市晶美隆科技有限公司
• 李林
  0755-82519391
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• 深圳市思诺康科技有限公司
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• SOT363
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• 标准国际(香港)有限公司
• 朱小姐
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• 634
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• 深圳市新良宇电子有限公司
• 李先生
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• MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
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• 深圳市时兴宇电子有限公司
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• 11+
• 8900

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• 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
• 李先生
  13760200702
• 原装正品！！
• 38500

• NTJD1155LT1G
• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
  0755-83946385
• ON
• 原装
• 15+
• 5725000

• NTJD1155LT1G
• 深圳市荣泽信电子科技有限公司
• 荣泽信－晏S
  18028731859
• ON
• 15+
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