NTLJF3117PTAG

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• NTLJF3117PTAG
• Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −4.1 A, P−Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm, uCool Package
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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NTLJF3117PTAG参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NTLJF3117PTAG
• 功能描述：MOSFET PFET 20V 4.1A 106MO 2X2；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 刘先生
  010-62104931
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• 深圳瀚瑞祥科技有限公司
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• 张小姐/赵小姐
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• 深圳市中品正光科技有限公司
• 李丽清
  0755-83269536
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• 深圳市索瑞得电子科技有限公司
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  0755-22926900
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