NTMD4N03R2
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NTMD4N03R2中文资料
电子元器件
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NTMD4N03R2
Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts N−Channel SO−8 Dual
ONSEMI
ON Semiconductor
8 Pages
80.85 Kbytes
NTMD4N03R2G
Power MOSFET 4 A, 30 V, Na??Channel SOa??8 Dual
ONSEMI
ON Semiconductor
8 Pages
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NTMD4N03R2参数资料
电子元器件
参数资料
NTMD4N03R2
功能描述:MOSFET 30V 4A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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中山市翔美达电子科技有限公司
朱小姐
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王
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