NVB5860NT4G

NVB5860NT4G中文资料

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• NVB5860NT4G
• N-CHANNEL POWER MOSFET
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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NVB5860NT4G参数资料

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• NVB5860NT4G
• 功能描述：MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 梁琳琳
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  ０７５５-８２５４５２７９／８２９４１８９１／１５９１４
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• 深圳市索瑞得电子科技有限公司
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  0755-22926900
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