ULN2003ADR2G

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• ULN2003ADR2G
• High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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ULN2003ADR2G参数资料

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• ULN2003ADR2G
• 功能描述：达林顿晶体管 DARLINGTON TRNS ARRY；RoHS：否；制造商：Texas Instruments；配置：Octal；晶体管极性：NPN；集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V；发射极 - 基极电压 VEBO：；集电极—基极电压 VCBO：；最大直流电集电极电流：0.5 A；最大集电极截止电流：；功率耗散：；最大工作温度：+ 150 C；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：SOIC-18；封装：Reel；

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