VP2206N2

VP2206N2中文资料

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• VP2206N2
• P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
• SUTEX
  Supertex, Inc
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VP2206N2参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• VP2206N2
• 功能描述：MOSFET 60V 0.9Ohm；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

VP2206N2供应商

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• 蔡S / 蔡S
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• 深圳市深创辉科技有限公司
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• 香港新美信实业有限公司
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• TO-39
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• 吴先生/张小姐
  0755-82762756
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• 深圳市华诺星科技有限公司
• 廖小姐
  18998919871
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• TO-39
• 2014+
• 1

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• 深圳市卓一科技有限公司三部
• 赵生(只做原装）
  86-0755-83979123
• 原厂代理
• CAN
• 14年新品
• 618