买卖IC网 >> 中文资料第9627页 >> ALD110908ASAL(QUAD/双N沟道增强型EPAD精密匹配对MOSFET ARRAY)

ALD110908ASAL中文资料

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ALD110908ASAL参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • ALD110908ASAL
  • 功能描述：MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

ALD110908ASAL供应商

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  • 封装
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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
  • 廖素君
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  • Advanced Linear Devices
  • MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
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  • 8000
  • ALD110908ASAL
  • 北京华宇慧达科技有限公司
  • 郭小姐/赵小姐
    15901568215
  • Advanced Linear Devices Inc
  • 原厂封装！
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  • 北京远洋华创科技有限公司
  • 杨经理
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  • 原厂
  • 原厂封装
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  • ALD
  • 标准封装
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  • ALD110908ASAL
  • 芯科国际电子有限公司
  • 申小姐
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  • ALD
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  • ALD110908ASAL
  • 深圳市海天高电子有限公司
  • 梁琳琳
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  • ALD
  • 8-SOIC
  • 15+
  • 12000
  • ALD110908ASAL
  • 深圳市佰昇电子有限公司
  • 曾小姐/叶先生
    0755-83971212
  • Advanced Linear Devices Inc
  • 8-SOIC
  • 2年内
  • 107
  • ALD110908ASAL
  • mmic_stock
  • vivi
    -
  • Advanced Linear Devices Inc
  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 12+
  • 90