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>> IDH04G65C5_12(THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。)
IDH04G65C5_12中文资料
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IDH04G65C5_12
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
INFINEON
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IDH04S60C
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
INFINEON
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THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
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INFINEON
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IDH08G65C5
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
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Infineon Technologies AG
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THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
INFINEON
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THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
INFINEON
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IDH10G65C5
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IDH12G65C5
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IDH12S60C
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IDH15S120
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IDH16G65C5
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IDH16S60C
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IDH20G65C5
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Infineon Technologies AG
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IDH20G65C5_12
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INFINEON
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IDK-1107W
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IDK-1107WR-40WVA1E
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IDK-1107WR-50WSA1E
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IDK-1108R-45SVA1E
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IDK-1110R-23SVA1E
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IDK-1110W
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IDK-1110WR-55WSA1E
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ADVANTECH
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IDK-1112R
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
ADVANTECH
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THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
ADVANTECH
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IDK-1115P
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IDK-1115P-40XGC1E
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IDK-1115R-40XGC1E
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IDH04G65C5_12参数资料
电子元器件
参数资料
IDH04G65C5_12
制造商:INFINEON;制造商全称:Infineon Technologies AG;功能描述:ThinQ!a?¢ Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes.;
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