买卖IC网 >> 中文资料第24396页 >> IDT70T3599S133DR(HIGH-SPEED2.5V一百二十八分之二百五十六/64K×36同步双端口静态3.3V或2.5V接口RAM)

IDT70T3599S133DR中文资料

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IDT70T3599S133DR参数资料

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  • IDT70T3599S133DR
  • 功能描述：IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：3,000；系列：-；格式 - 存储器：EEPROMs - 串行；存储器类型：EEPROM；存储容量：8K (1K x 8)；速度：400kHz；接口：I²C，2 线串口；电源电压：1.7 V ~ 5.5 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；供应商设备封装：8-SOIC；包装：带卷 (TR)；

IDT70T3599S133DR供应商

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  • IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 208-BFQFP
  • 12+
  • 10001
  • IDT70T3599S133DR
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  • 深圳市世联芯科技有限公司
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  • IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 208-BFQFP
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  • 徐小姐
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  • 208-BFQFP
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