买卖IC网 >> 中文资料第24397页 >> IDT70T651S10BC(HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口)

IDT70T651S10BC中文资料

  • 电子元器件
  • 中文功能描述
  • 生产厂商
  • 品牌LOGO
  • 页数
  • 文件大小
  • PDF文件
  • IDT70T651S10BC
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S10BCI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S10BF
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S10BFI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S10DR
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S10DRI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • IDT70T651S12BC
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S12BCI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S12BF
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S12BFI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S12DR
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S12DRI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S15BC
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S15BCI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • IDT70T651S15BF
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S15BFI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • IDT70T651S15DR
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S15DRI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • IDT70T651S8BC
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S8BCI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • IDT70T651S8BF
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T651S8BFI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • IDT70T651S8DR
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • IDT70T651S8DRI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • IDT70T653M
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 24 Pages
  • 309.44 Kbytes
  • IDT70T653MS10BC
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 24 Pages
  • 309.44 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T653MS10BCI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 24 Pages
  • 309.44 Kbytes
  • IDT70T653MS12BC
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 24 Pages
  • 309.44 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T653MS12BCI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 24 Pages
  • 309.44 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T653MS15BC
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 24 Pages
  • 309.44 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T653MS15BCI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 24 Pages
  • 309.44 Kbytes
  • IDT70T659S
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • IDT70T659S10BC
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S10BCI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S10BF
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S10BFI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S10DR
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S10DRI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • IDT70T659S12BC
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S12BCI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S12BF
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S12BFI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S12DR
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S12DRI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S15BC
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S15BCI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • IDT70T659S15BF
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S15BFI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • IDT70T659S15DR
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes
  • PDF文件
  • IDT70T659S15DRI
  • HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 27 Pages
  • 344.83 Kbytes

IDT70T651S10BC参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IDT70T651S10BC
  • 功能描述：IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：3,000；系列：-；格式 - 存储器：EEPROMs - 串行；存储器类型：EEPROM；存储容量：8K (1K x 8)；速度：400kHz；接口：I²C，2 线串口；电源电压：1.7 V ~ 5.5 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；供应商设备封装：8-SOIC；包装：带卷 (TR)；

IDT70T651S10BC供应商

  • 电子元器件
  • 供应商
  • 联系方式
  • 品牌
  • 封装
  • 批号
  • 数量
  • IDT70T651S10BC
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 谭玉丽
    19129491949(手机优先
  • IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 256-LBGA
  • 12+
  • 10001
  • IDT70T651S10BC
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部：马先生
    0755-83350789
  • IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 256-LBGA
  • 15+
  • 180018
  • IDT70T651S10BC8
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 谭玉丽
    19129491949(手机优先
  • IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 256-LBGA
  • 12+
  • 10001
  • IDT70T651S10BC8
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部：马先生
    0755-83350789
  • IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 256-LBGA
  • 15+
  • 180018
  • IDT70T651S10BCI
  • 中山市翔美达电子科技有限公司
  • 朱小姐
    15502070655
  • AD
  • 标准封装
  • 10+
  • 30
  • IDT70T651S10BCI
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 谭玉丽
    19129491949(手机优先
  • IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 256-LBGA
  • 12+
  • 10001
  • IDT70T651S10BCI
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部：马先生
    0755-83350789
  • IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 256-LBGA
  • 15+
  • 180018
  • IDT70T651S10BCI8
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 谭玉丽
    19129491949(手机优先
  • IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 256-LBGA
  • 12+
  • 10001
  • IDT70T651S10BCI8
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部：马先生
    0755-83350789
  • IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 256-LBGA
  • 15+
  • 180018
  • IDT70T651S10BC
  • 深圳市莱特斯电子科技有限公司
  • 江先生
    19176527791
  • IDT
  • 标准封装
  • 2014+
  • 9600